Lace Lithography: 40 Millionen US-Dollar für Post-EUV-Start-up

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Lace Lithography: 40 Millionen US-Dollar für Post-EUV-Start-up Ein norwegisches Start-up sieht in Strahlen metastabiler Atome die Zukunft der Halbleiterfertigung . Das komplexe Konzept könnte EUV beerben. Hergestellt mit EUV-Belichtung: Ein Wafer mit Panther-Lake-Dies von Intel Bild: Johannes Hiltscher/Golem Inhalt Lace Lithography: 40 Millionen US-Dollar für Post-EUV-Start-up Noch kompliziertere Masken Licht aus dem extrem ultravioletten Spektrum (EUV) wird wohl noch bis in die 2030 Jahre hinein ein Motor für Fortschritte in der Halbleiterfertigung bleiben. Asml, mit Sitz in den Niederlanden und das einzige Unternehmen, dass EUV-Belichter baut, arbeitet aktuell daran, die numerische Apertur (NA) von aktuell 0,55 (High-NA) auf 0,75 (Hyper-NA) zu steigern . Das ermöglicht die Abbildung noch kleinerer Strukturen. Doch für die Umsetzung braucht es auch neue Ideen. An einer davon arbeitet das Team des Start-ups Lace Lithography(öffnet im neuen Fenster) um die Physikerin Bodil Holst: Es will Teilchenstrahlen für die Belichtung von Masken in der Halbleiterfertigung nutzen. Dafür hat das Start-up, wie das Handelsblatt berichtet(öffnet im neuen Fenster) , in einer Serie-A-Finanzierungsrunde nun 40 Millionen US-Dollar eingesammelt. Diese kommen unter anderem von den Wagniskapitalgebern Atomico, Vsquared und Microsofts Fonds M12. Zuvor hatte Lace Lithography bereits 20 Millionen US-Dollar eingeworben. Die Pläne des Unternehmens sind schwer vorstellbar: Statt Photonen soll ein Strahl metastabiler Atome oder Moleküle für die Belichtung eines Maskenmaterials genutzt werden. Die Physikerin Holst arbeitete hierfür in der Vergangenheit mit Helium. Der genutzte Teilchenstrahl kann als Materiewelle(öffnet im neuen Fenster) beschrieben werden, entsprechend gelten die gleichen physikalischen Gesetze, insbesondere das Rayleigh-Kriterium(öffnet im neuen Fenster) , für die Abbildungsfähigkeit des Systems. Teilchenstrahl erreicht höhere Auflösung als EUV Teilchenstrahlen haben gegenüber Ph...